Tehnologie cu pulverizare cu ultrasunete pentru acoperiri cu celule solare

Tehnologia de pulverizare cu ultrasunete este utilizată pentru aplicații fotovoltaice de siliciu cristalin (C-SI) și filme subțiri. Comparativ cu depunerea de vapori chimici (CVD), sputtering, acoperire de rotire, acoperire cu role și tehnici de acoperire a cearului, tehnologia de pulverizare cu ultrasunete pot fi o metodă mai rentabilă pentru depunerea acoperirilor cu film subțire pe celulele solare. Datorită uniformității ridicate a picăturilor atomizate și a vitezei lor mici în timpul procesului de acoperire, se pot forma straturi groase de micrometru extrem de uniform pe celule solare C-Si și subțiri. Beneficiul suplimentar al reducerii deșeurilor sau al suprapunerii poate economisi în mod semnificativ materiale.

Tehnologia de pulverizare cu ultrasunete este utilizată pentru următoarele substanțe chimice:

Agenți de dopaj, absorbanți, agenți de tamponare, compuși organici, etc.

Dopant de acid boric
Clorură de cadmiu (CDTE) absorbant
Sulfură de cadmiu (CDS) - Strat tampon pentru Baterii CIGS și CDTE
Copper Indium Gallium Selenidă (CIGS sau CIS) absorbant
Sulfură de staniu de zinc de cupru (CZT) absorbant
Celule solare organice sensibilizate cu coloranți (DSC, DSSC sau DYSC)
P3HT
Pedot
PCBM
Dopanți pe bază de fosfați în formarea emițătorului

Puncte cuantice (QD)

Pulverizarea cu ultrasunete a fost utilizată cu succes pentru a pulveriza diverse puncte cuantice. Filmele subțiri ZnO și punctele cuantice CDS au fost preparate prin tehnologia de depunere a pirolizei cu pulverizare cu ultrasunete, iar costul este doar o mică parte din metodele de CVD și sputtering.

Oxid conductiv transparent (TCO)

Dioxid de staniu (sno2)
Oxid de staniu de indiu (ITO)
Oxid de zinc (ZnO) ca nanofire în aplicațiile DSC
Nanotuburi de carbon (CNT)
Nanofire de argint (AGNW)
Grafen

Acoperire anti -reflectorizantă (AR)

Dioxid de siliciu
Titania